基础知识的概念是什么？
1、基础知识就是学习中基本的知识，包括常识、简单实用的、容易记忆的。2、基础知识的重要性：（1）没有基础，何来进阶，知识体系环环相扣，没有夯实的基础，知识体系只会是漏洞百出，只懂表面，不懂原理，学习任何事物想要学好必须学好基础，懂其原理，万丈高楼拔地而起，还要靠地基打的好。（2）任何事物基础都很重要（对于不同事物这个基础的表现形式也可能不同），更深奥的知识都是有最基础的知识，理论原理组合而成的，没有基础，就不可能去理解更深奥的知识理论，就不可能往更高的层次进阶，基础学好了扎实了才能再进阶更深奥的课程，再怎么强调基础的重要性都不为过，基础一定要夯实。扩展资料：基础知识的深度理解标准：（1）基础知识能否体系化——关注点：重过程，轻结果。对于少量知识点而言，或许学生不需要做到这一点也很优秀。但是对于大量知识点而言，没有这一步，学生就没有得高分的信心。随着信息的发达，大量的学生和家长已经开始关注知识体系化，很多学校也将这一过程融入到教学当中。虽然不同的学生对于这些基础的重视度和领悟力有差别，但是可以肯定的是这种教学质量较之以前是一个很大的进步。而学生之所以不能从体系化中有所得，关键在于学生对于体系化的关注点在何处。是关注其体系化后的结果，还是关注其体系化的过程。所以，老师的板书，学生抄下来，接下来要做的是：不是去想着怎样记住，而是要去思考老师为什么这样板书。其实不仅是老师的板书，身边的辅材，包括教材都要去习惯性的这样分析。（2）基础知识能否拓展——关注点：重理解轻记忆有一个知识点，自己能想到知识点周边的其他知识点，这叫做知识的拓展性。当自己基于某一个知识点，自己所能联想的越多，说明知识的灵活度越高。因为如果对于某一个知识点没有深层次的理解，是不可能做到有效拓展的。（3）应用方向会不会总结——关注点：重知识的应用轻场景的应用我们将每一道题的题目看做具体的场景，在场景中必然涉及到知识点，学生在分析场景的时候，喜欢知识点结合场景，所以学生抽取不出其中的科目语言。而分析的过程也是针对场景的分析，并不能形成知识点的应用总结。最终的结果是：一旦场景变了，学生就陷入了新的迷茫。学生归纳错题和好题，不是说简简单单的写个答案。有很多学生认为抄题是一件没有意义的事情，不同的科目要有不同的理解。如果题目中含有大量的需要转化的学科语言，抄一抄题，自己在抄题的过程中去关注知识点如何在场景中表达的，如何应用到场景中的，对于这些的思考其实已经超过了题目本身的意义。（4）基础应用是否流畅——关注点：重应用熟练轻记忆熟练表述也是应用的一种，重应用说明自己的学习是主动的，轻记忆，是为了让学生摆脱死记硬背的陋习。当自己的表述和应用都很流畅了，其实就已经代表了知识被熟练掌握了。而表述和应用的要求，不仅仅是针对某一个或者几个熟练的知识点，而是整个体系的表述和应用。
基础知识的概念是什么
1、基础知识就是学习中基本的知识，包括常识、简单实用的、容易记忆的。 2、基础知识的重要性： （1）没有基础，何来进阶，知识体系环环相扣，没有夯实的基础，知识体系只会是漏洞百出，只懂表面，不懂原理，学习任何事物想要学好必须学好基础，懂其原理，万丈高楼拔地而起，还要靠地基打的好。 （2）任何事物基础都很重要（对于不同事物这个基础的表现形式也可能不同），更深奥的知识都是有最基础的知识，理论原理组合而成的，没有基础，就不可能去理解更深奥的知识理论，就不可能往更高的层次进阶，基础学好了扎实了才能再进阶更深奥的课程，再怎么强调基础的重要性都不为过，基础一定要夯实。 扩展资料： 基础知识的深度理解标准： （1）基础知识能否体系化——关注点：重过程，轻结果。 对于少量知识点而言，或许学生不需要做到这一点也很优秀。 但是对于大量知识点而言，没有这一步，学生就没有得高分的信心。 随着信息的发达，大量的学生和家长已经开始关注知识体系化，很多学校也将这一过程融入到教学当中。 虽然不同的学生对于这些基础的重视度和领悟力有差别，但是可以肯定的是这种教学质量较之以前是一个很大的进步。 而学生之所以不能从体系化中有所得，关键在于学生对于体系化的关注点在何处。 是关注其体系化后的结果，还是关注其体系化的过程。 所以，老师的板书，学生抄下来，接下来要做的是：不是去想着怎样记住，而是要去思考老师为什么这样板书。 其实不仅是老师的板书，身边的辅材，包括教材都要去习惯性的这样分析。 （2）基础知识能否拓展——关注点：重理解轻记忆 有一个知识点，自己能想到知识点周边的其他知识点，这叫做知识的拓展性。 当自己基于某一个知识点，自己所能联想的越多，说明知识的灵活度越高。 因为如果对于某一个知识点没有深层次的理解，是不可能做到有效拓展的。 （3）应用方向会不会总结——关注点：重知识的应用轻场景的应用 我们将每一道题的题目看做具体的场景，在场景中必然涉及到知识点，学生在分析场景的时候，喜欢知识点结合场景，所以学生抽取不出其中的科目语言。 而分析的过程也是针对场景的分析，并不能形成知识点的应用总结。 最终的结果是：一旦场景变了，学生就陷入了新的迷茫。 学生归纳错题和好题，不是说简简单单的写个答案。 有很多学生认为抄题是一件没有意义的事情，不同的科目要有不同的理解。 如果题目中含有大量的需要转化的学科语言，抄一抄题，自己在抄题的过程中去关注知识点如何在场景中表达的，如何应用到场景中的，对于这些的思考其实已经超过了题目本身的意义。 （4）基础应用是否流畅——关注点：重应用熟练轻记忆熟练 表述也是应用的一种，重应用说明自己的学习是主动的，轻记忆，是为了让学生摆脱死记硬背的陋习。 当自己的表述和应用都很流畅了，其实就已经代表了知识被熟练掌握了。 而表述和应用的要求，不仅仅是针对某一个或者几个熟练的知识点，而是整个体系的表述和应用。
晶体生长机制及生长速度
（一）析出的晶体与熔体成分相同1.连续生长机制这里讨论的是粗糙界面上的连续生长，粗糙界面上处处都是生长位置，流体中原子几乎是连续地进入界面上的结晶位置，故粗糙界面的生长称为“连续生长”。当稳定晶核形成以后，在一定的温度和过饱和度条件下，晶体按一定的速度生长。晶体生长类似扩散过程，它取决于分子或原子从熔体（液相）中分出向界面扩散的能力（如图9-12）。界面上液体一侧中一个原子或分子的自由能为Gl，晶体侧一个原子或分子的自由能为Gc，迁移一个原子到固相时自由能的变化为：Gl-Gc=VΔGV。这里，V为形成的晶核的体积。原子或分子从液体通过界面移到晶体时的活化能为ΔGa。这时的晶体生长速度公式为（浙江大学等，1980）实验及理论岩石学这里，f是附加因子，是晶体界面上能附着原子的位置，λ为原子间距，μ0为跃迁频率，K是波兹曼常数。该式表明生长速度与过冷度ΔT间呈线性关系（U=AΔT）。2.层状生长机制光滑界面的层状生长又包括二维成核和螺旋位错生长机制。（1）二维成核生长如果固-液界面平滑（晶面完整）到一个原子大小的尺度（图9-13），则晶体的成长速度决定于二维晶核形成的速率。晶体在熔体中生长时，生长速度为（闵乃本，1982）这里，A=hsμ0，B=π（σLS）2/KT，各参数中除了已给出的外，h为二维核高度；s为生长面积。在这里生长速度U与ΔT呈指数关系。图9-12 从液相迁移一个原子到固相时自由能的变化图9-13 在晶体表面形成二维晶核实验及理论岩石学（2）螺旋位错生长在晶面有缺陷时，晶体生长过程不是简单地在晶面上层层添加，而是绕着一个垂直于某晶面的轴旋转长大的，生长中心是螺旋位错（图9-14）。这时图9-14 晶体按螺旋形生长实验及理论岩石学可见生长速度和（ΔT）2成正比（浙江大学等，1980），在许多系统中，生长速度近似地和过冷度的平方成正比（U=AΔT 2）（抛物线律）。图9-15是不同成分的钾长石在不同水含量条件下的生长速度曲线，生长速度也是随着过冷度增加由低到高，到一个峰值后又逐渐下降。该生长速度曲线具有抛物线的形态。图9-16是8kbar压力下含水的人工合成花岗质熔体中主要造岩矿物的生长速度与过冷量关系曲线，这些生长曲线同样呈抛物线的形态，在熔体成分相同时，各种矿物的生长速度随水含量增加而减少。图9-15 2.5kbar压力下含水量不同的碱性长石的生长速度与过冷度的关系图9-16 8kbar压力下含不同量水的人工合成花岗岩熔体中矿物的生长速度与过冷度关系（二）析出的晶体和熔体组成不同以众所周知的An-Ab二元无限混熔固溶体系列为例。平衡结晶中，熔体中的Ab组分起了降低液相线温度的作用。在一定温度下，熔体中的Ab含量高于平衡的斜长石中的Ab含量（即Csl，Cs、Cl分别为共存的固体和液体中同一组分的浓度）。熔体中的An组分则相反，起到提高液相线温度的作用，在一定温度下液体中An含量低于平衡的斜长石中的An含量（Cs>Cl）。结晶过程中，（Cs>Cl）组分优先进入晶体，而（Csl）组分则在晶体边缘形成浓度较高的“边界层”（图9-17）。边界层内的熔体的液相线温度因此低于周围的熔体的液相线温度，对于相同的结晶温度来说，边界层内的过冷度与周围熔体的过冷度是不同的。这种因结晶过程中熔体成分变化形成的过冷现象成为“组分过冷”（constitutional undercooling）（Lofgreen，1980；闵乃本，1982）。在中酸性火山岩中也有反映岩浆结晶中组分过冷现象的报道（周金城，1990）。图9-17 晶-液界面附近的边界层中（Csl）组分浓度变化及组分过冷（ΔT）的出现中国东南沿海早白垩世的流纹英安质“碎斑熔岩”中有一种特殊的结构，碎斑熔岩中“钾长石碎斑”边缘增生了光性方位相同的“钾长石边”，在这种钾长石生长边内，有细粒石英嵌布，这种钾长石生长边因此被命名为“珠边”。珠边内嵌布的石英颗粒的光性方位各不相同，但靠近钾长石碎斑的石英颗粒细，靠近基质一侧的石英颗粒较粗（图9-18），并与基质中石英粒径相接近。珠边内由内向外石英粒径由细变粗，从无例外。碎斑熔岩中这种特殊的珠边被解释为超浅成或熔岩流底部酸性岩浆结晶中“组分过冷”的产物，是“组分过冷”造成了这种特殊的结构，“珠边”是超浅成的中酸性岩浆作用的岩相学标志。随着钾长石碎斑在这样环境中进一步生长，岩浆中SiO2不断地被生长中的钾长石排除出来，在钾长石周围的熔体中形成了一种富SiO2的“边界层”，在“边界层”内，越靠近晶体的熔体越富SiO2，随着远离晶体，熔体的SiO2逐渐与周围的流纹英安质岩浆趋于一致。“边界层”内富SiO2的岩浆的液相线温度要低于周围流纹英安质岩浆的液相线温度，两者的差异构成“组分过冷”，类似于图9-17，在“边界层”内，靠近钾长石碎斑一侧过冷度小，靠近熔体（即碎斑熔体基质）一侧，过冷度较大。图9-16a表明，在含一定量水的花岗闪长质（流纹英安质）熔体中，过冷度小时，石英的生长速度并不大，过冷度适当增加后，石英的生长速度增加，因而“组分过冷”程度的差别造成“珠边”内石英颗粒粗细的规则变化（周金城等，1999）。这样的解释有待低压下石英生长速度实验资料的进一步证实。图9-18 碎斑熔岩中钾长石碎斑周围的“珠边”简图（三）生长机制的判断总的来看，每种生长机制的生长速度对温度T和过冷度ΔT都有特定的依赖关系。在ΔT较小时，原则上可以通过测量生长速度来确定生长机制。可以用生长速度的减少值与过冷度的关系来区分不同的生长机制。生长速度的减少值Ur（reduced growth rate）可以认为是那些能用以附着原子的位置所占比例的一种度量（Kirkpatrick et al.，1976）。有公式：实验及理论岩石学其中，Ur为生长速度减少值；Uη，熔体粘度；L，潜热；T，K氏温度；ΔT，过冷度；R，气体常数；TL，液相线温度。假如没有可信的潜热资料能被应用，可用公式：实验及理论岩石学进行计算。在Ur对ΔT标绘的结果中，对于连续生长来说，将产生一条水平线；对于螺旋位错机制来说，将产生一条经过原点且具正斜率的直线；对于二维表面成核来说，将产生一条具正曲率的曲线。
晶体生长的晶体生长的数值模拟
大尺寸晶体生长的制备，特别适用于高科技应用，如DRAMs、集成电路的半导体，单晶或多晶晶元的太阳能电池，LED照明的宝石基底等等。一般来说，直拉法（又称Cz法，Czochralski法）生产用于IC和太阳能电池的单晶硅；悬浮区熔法（Fz法：Floating Zone）生产高纯度的单晶硅；定向凝固法（DS法、VB法等）多用于生产用于太阳能电池上的多晶硅。以上几种工艺通过建立数值模型，利用有效的仿真工具来完成拉晶过程中对单晶炉、晶体的热场、力学性能、几何结构的预测，最终实现对生成晶体质量的评估。晶体生长领域学者比利时鲁汶大学的François Dupret教授，90年代于《J. of Heat and Mass Transfer》上发表了一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces ，详细阐述了如何建立一个晶体生长炉中全局的热传控制模型，并验证了这一全局模型的准确性。
晶体生长的三个阶段
晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；③生长阶段。晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体。由气相、液相转变成固相时形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。在某种介质体系中，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶。体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子。这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击，或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上。这种形成结晶微粒子的作用称之为成核作用。
晶体生长速率为什么要适当增加
你好，很高兴为你服务，为你作出如下解答:晶体生长速率的增加是为了提高晶体的质量，以及提高晶体的生长效率。一般来说，晶体生长速率的增加会带来一些问题，比如晶体的结构不稳定，晶体的质量不高，晶体的生长效率低等。解决这些问题的方法有：1.加强晶体生长过程中的控制，比如控制温度、湿度、气体流量等，以保证晶体的结构稳定，提高晶体的质量。2.选择合适的晶体生长材料，比如选择高质量的原料，以保证晶体的质量。3.选择合适的晶体生长方法，比如采用晶体生长技术，以提高晶体的生长效率。4.加强晶体生长过程中的监测，比如定期检查晶体的结构，以保证晶体的质量。个人心得：晶体生长速率的增加是为了提高晶体的质量，但是也会带来一些问题，因此，在晶体生长过程中，要加强控制，选择合适的材料和方法，并定期检查晶体的结构，以保证晶体的质量。【摘要】
晶体生长速率为什么要适当增加【提问】
你好，很高兴为你服务，为你作出如下解答:晶体生长速率的增加是为了提高晶体的质量，以及提高晶体的生长效率。一般来说，晶体生长速率的增加会带来一些问题，比如晶体的结构不稳定，晶体的质量不高，晶体的生长效率低等。解决这些问题的方法有：1.加强晶体生长过程中的控制，比如控制温度、湿度、气体流量等，以保证晶体的结构稳定，提高晶体的质量。2.选择合适的晶体生长材料，比如选择高质量的原料，以保证晶体的质量。3.选择合适的晶体生长方法，比如采用晶体生长技术，以提高晶体的生长效率。4.加强晶体生长过程中的监测，比如定期检查晶体的结构，以保证晶体的质量。个人心得：晶体生长速率的增加是为了提高晶体的质量，但是也会带来一些问题，因此，在晶体生长过程中，要加强控制，选择合适的材料和方法，并定期检查晶体的结构，以保证晶体的质量。【回答】
