ASEMI高压MOS管12N65的电性参数是多少？
12N65参数描述
型号：12N65
封装：TO-262、TO-220/220F、TO-247
特性：高压MOS管
电性参数：12A 650V
正向电流(Io)：12A
正向电压(VF)：1.4V
浪涌电流Ifsm：48A
G极漏电流(Ir)：10uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：380ns
引线数量：3
12N65的TO-262封装系列。它的本体长度为9.4mm，加引脚长度为23mm，宽度为10.2mm，高度为4.7mm。12N65的特性有：低固有电容、优异的开关特性、扩展安全操作区、无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC（典型值）等。12N65广泛应用于工业领域、新能源领域、交通领域、绿色照明领域。
什么是MOSFET
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。扩展资料：主要参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。对比Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。参考资料：百度百科-MOSFET
mos管的作用
mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管的特性开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制，NMOS的使用场景要远比PMOS广泛，因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。
mos管的作用
mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。
coolmos与普通VDmos的区别是什么？
COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法，所以一直叫COOLMOS，超结MOS可能更为恰当。 飞利浦美国公司的 D.J.Coe 申请了编号为 US Pat:4754310 的美国专利，第一次提出了在 LDMOS 结构的基础上，采用 pn 交替结构来取代原来单一淡浓度掺杂的漂移区，有效较低导通电阻的同时保持器件耐压的方法来实现真正意义上的超结器件。如图一所示，在原先传统 LDMOS的漂移区中，通过 pn 交替的结构来代替单一淡浓度掺杂的漂移区，LDMOS 的漏端为高浓度掺杂的n+区域，它直接连接到 pn 交替的漂移区。
MOS管比较好的的品牌有哪些，它们的常用的料号有那些？
最近经常有客户问我们，国产MOS管什么品牌好？国产十大MOS管品牌有哪些？哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？下面小编就来分析下国产MOS管品牌，探讨下国内外功率MOSFET器件的品牌对比及市场前景。首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。当然还有其他就不一一列举，其实比较起来很难说国产十大MOS管品牌哪个好，这个问题是见仁见智的，我们南山电子授权代理经销长晶科技和新洁能，小编就先说说这两个牌子，长电长晶科技不用多说了，从事电子元器件行业的应该都知道，细分领域多，主做二三极管，MOS管这块儿当然也做，例如CJ3400，CJ2301，CJ3134等都是稳定性较好，认知度较高，市场比较热销的MOS管型号，而新洁能MOS管相较于国内其他功率器件企业，新洁能资金实力并不突出，那么，它是如何在背景强大、资金充裕的国产MOS管竞争对手中脱颖而出？其技术“硬实力”如何？我们来看图说话：点击进入看图评论国产MOS管多年来，新洁能始终专注MOSFET、IGBT领域，取得了不少突破：是同时拥有“沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅功率MOSFET ”及IGBT 四大产品平台的本土企业。在中高端功率器件领域，新洁能交出了不错的成绩单：2018年，新洁能位列中国功率半导体行业第六，这是新洁能连续第三个年头跻身全国前十功率半导体企业榜单。随着新洁能逐渐打开市场、提升品牌知名度，其产品亦从单一的MOSFET、IGBT芯片转为更具集成性的功率器件。点击进入看图评论研发技术最后我们就来谈谈一个客户问的问题：哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物，以高功率MOSFET为例，英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET，而国内有能力量产的厂商寥寥无几，且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。这些都是实际存在的问题，我们想要进步就不能一叶遮目，避而不谈，但是我们相信专注于一个领域不停进步，新洁能已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。新洁能踌躇满志，计划在未来三年内，进一步树立起中国半导体品牌形象。为此，公司拟筹资数亿，用于以下三方面建设：研发更高性能功率器件、建设半导体封装测试生产线与研发高性能原材料碳化硅。手捧功率半导体领域耀眼的两颗“明珠”——MOSFET、IGBT，新洁能期待成为中高端市场稀缺标杆，与英飞凌、安森美同台竞技。展望未来，新洁能还将致力于攻破更高精尖技术，打造出更好的产品，树立中国半导体品牌形象。南山电子期待与新洁能共同进步，一路同行。
