三极管S8550可用什么三极管代换
S8550平常可以使用9012、2N5401和2N2907这些PNP管直接代换，这几种三极管的功率、电压都在S8850的允许±值内，而且外形及引脚排列都一样，是完全可以替换的。在特定情况下，如实现检波或者作为开关等功能时，可用9012、9015、2N5551、3DG12等代替，在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能进行正常工作。扩展资料：三极管的选型替换：1.首先要进行参数对比，如果不知道参数可以先在网络搜索他的规格书。2.知道参数，尤其是BVCBO，BVCEO，BVEBO，HFE，ft，VCEsat参数。通过各个参数的比较，找相似的产品。S8550特点：1.耗散功率 PCM ：0.625 W（环境温度25℃条件下）；2.集电极电流 ICM ：0.5 A；3.集电极-基极电压 V（BR）CBO ： 40 V。参考资料来源：百度百科—三极管
三极管S8550可用什么三极管代换
S8550平常可以使用9012、2N5401和2N2907这些PNP管直接代换，这几种三极管的功率、电压都在S8850的允许±值内，而且外形及引脚排列都一样，是完全可以替换的。在特定情况下，如实现检波或者作为开关等功能时，可用9012、9015、2N5551、3DG12等代替，在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能进行正常工作。扩展资料：三极管的选型替换：1.首先要进行参数对比，如果不知道参数可以先在网络搜索他的规格书。2.知道参数，尤其是BVCBO，BVCEO，BVEBO，HFE，ft，VCEsat参数。通过各个参数的比较，找相似的产品。S8550特点：1.耗散功率PCM：0.625W（环境温度25℃条件下）；2.集电极电流ICM：0.5A；3.集电极-基极电压V（BR）CBO：40V。参考资料来源：百度百科—三极管
三极管ss8550是什么？
三极管8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。
SS8050
SS8550
参数：耗散功率:
1W(TA=25℃)
2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT
最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为
B
C
D
共3档放大倍数
B：85-160
C：120-200
D：160-300引脚排列多为EBCUTC的
S8050
S8550
引脚排列有EBC8050S
8550S
引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT
最小100MHZ
典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C
D
E档C：120-200
D：160-300
E：280-400
s8550引脚接法图解
基本参数：集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃ to +150℃和8050（NPN）相对8550三级管参数：类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHzPE8550 硅 PNP 30V 1.5A 1.1W3DG8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K2SC8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *KMC8550 硅 PNP 25V 700mA 200mW 150MHzCS8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K管脚：8550三极管（TO-92封装）管脚图（文字朝自己，引脚朝下）从左到右数如下:1脚=E（发射极，带箭头的那个），2脚=B（基极），3脚=C（集电极）.8550三极管（SOT-23封装）管脚图1、E（发射极) 2、B（基极) 3、C（集电极)以上就是s8550三极管引脚图参数的相关内容【摘要】s8550引脚接法图解【提问】基本参数：集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃ to +150℃和8050（NPN）相对8550三级管参数：类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHzPE8550 硅 PNP 30V 1.5A 1.1W3DG8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K2SC8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *KMC8550 硅 PNP 25V 700mA 200mW 150MHzCS8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K管脚：8550三极管（TO-92封装）管脚图（文字朝自己，引脚朝下）从左到右数如下:1脚=E（发射极，带箭头的那个），2脚=B（基极），3脚=C（集电极）.8550三极管（SOT-23封装）管脚图1、E（发射极) 2、B（基极) 3、C（集电极)以上就是s8550三极管引脚图参数的相关内容【回答】【回答】
s8550引脚接法图解
1、VCBO -30 V2、VCEO -20 V3、VEBO -5 V4、Pc 1 W5、Ic -700 mA S8550特点：耗散功率 PCM ：0.625 W（环境温度25℃条件下）集电极电流 ICM ：0.5 A集电极-基极电压 V（BR）CBO ： 40 V【摘要】s8550引脚接法图解【提问】1、VCBO -30 V2、VCEO -20 V3、VEBO -5 V4、Pc 1 W5、Ic -700 mA S8550特点：耗散功率 PCM ：0.625 W（环境温度25℃条件下）集电极电流 ICM ：0.5 A集电极-基极电压 V（BR）CBO ： 40 V【回答】S8550和c8550的引脚相同吗？【提问】【回答】【回答】【回答】【回答】图1为S8550引脚图【回答】图二维S8550电路总汇【回答】图3为单片机通，过S8550控制继电机电路图【回答】图示为S8550测试12v蓄电池的输出电路电路【回答】S8550是否能替C8550使用【提问】可以替换的S8550和C8550型号相同【回答】都是NPC类型的，可以体可以替换使用【回答】引脚也相同吗？【提问】S8550和C8550是不一样的，引禮也不一样【回答】相同的道理S8050和C8050的引脚也不一样是吗？【提问】只是说他们的NPn芯片相同【回答】可以换【回答】但是引脚不同【回答】所以不同【回答】
s8050三极管怎么测好坏
S8050为NPN型小功率三极管，管脚排列为：1e、2b、3c。s8050三极管测好坏方法如下：1、将管子正面朝上，用万用表二极管档，红笔接b，黑表笔分别接触e、c；都显示导通，压降在0.55---0.7V之间。2、 黑笔接b，红表笔分别接触e、c；都显示不通。3、b悬空，红表笔接e，黑笔接C，应该不通。4、b悬空，红表笔接C，黑笔接E，应该不通。这样测试后的结果，就基本判定三极管基本是好的。扩展资料：工作状态判别1、截止状态当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。2、放大状态当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。3、饱和导通当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。参考资料：百度百科—三极管
电磁炉三极管s8550和s8050如何检测好坏
三极管S8550是PNP型三极管，S8050是NPN型三极管。将数字式万用表拨到二极管档，用万用表的红表笔接触三极管的任意一个管脚，然后黑表笔去测试其余两个管脚，然后反过来，用万用表的黑表笔接触三极管的任意一个管脚，然后红表笔去测试其余两个管脚，直到测试出如下结果： 如果三极管的红表笔接其中一个管脚，而用黑表笔测其它两个管脚都导通且有电压显示，那么此三极管为NPN型三极管，红表笔所接的管脚为三极管的基极B。上述测试时其中万用表的黑表笔接其中一个脚的电压稍高，那么此脚为三极管的发射极E，剩下的一个脚电压偏低的就是三极管集电极C。 如果三极管的黑表笔接其中一个管脚，而用红表笔测其它两个管脚都导通且有电压显示，那么此三极管为PNP型三极管，且黑表笔所接的脚为三极管的基极B。上述方法测试时其中万用表的红表笔接其中一个脚的电压稍高，那么此脚为三极管的发射极E，剩下的一个脚电压偏低的就是集电极C。 扩展资料8050是NPN管，8550是PNP管，它们的耐压、功率、频率等什么都是一样的，只是极性不一样，所以它们做互补很好的。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。参考资料来源：百度百科-三极管
s8050三极管可以用什么管代替？
可以使用9014、9013、2N5551这些NPN三极管直接代换。8050是日本公司生产的NPN硅三极管，其耐压值为25V，Pcm为1W，Icm为1.5A。若不是驱动大功率负载，可以使用9014、9013、2N5551这些NPN三极管直接代换。它们引脚排列都一样，只是上述管子的功率没有8050大。C1815可以用9014代换，它们参数基本一致，只是该管引脚排列跟9014不一样。扩展资料：类型：NPN集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）集电极电流Ic：0.5A集电极-基极电压Vcbo：40V集电极-发射极电压Vceo：25V集电极-发射极饱和电压Vce(sat)： 0.6V特征频率f： 最小150MHz按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档放大倍数：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B参考资料来源：百度百科-S8050
三极管S8050作用是什么？
这是一个小功率的NPN三极管。\x0d\x0a作用:\x0d\x0a 把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.\x0d\x0a三极管的分类:\x0d\x0a a.按材质分: 硅管、锗管\x0d\x0a\x0d\x0a b.按结构分: NPN 、 PNP\x0d\x0a\x0d\x0a c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.\x0d\x0a\x0d\x0a三极管的主要参数:\x0d\x0a\x0d\x0a a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.\x0d\x0a\x0d\x0a b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.\x0d\x0a\x0d\x0a c. hFE:电流放大倍数.\x0d\x0a\x0d\x0a d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.\x0d\x0a\x0d\x0a e. PCM:最大允许耗散功率.\x0d\x0a\x0d\x0a f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.
三极管8050和三极管8550的区别是什么？
三极管8050和三极管8550是两种常用的NPN和PNP型号三极管。它们的区别如下：
1. 极性：8050是NPN型号三极管，8550是PNP型号三极管。这意味着在电路中，两者的极性相反，具有不同的电流流动方向。
2. 极限电流和电压：8050的最大集电极电流（IC）一般为500mA，最大发射极电流（IE）一般为200mA，最大集电极-基极电压（VCEO）一般为25V。8550的最大集电极电流（IC）一般为500mA，最大发射极电流（IE）一般为200mA，最大基极-集电极电压（VCEO）一般为45V。可见，8550的电流和电压容量略高于8050。
3. 封装形式：8050和8550通常都有多种封装形式，如TO-92、SOT-23等。
4. 使用场景：由于8050和8550都是常用的低功率小信号三极管，它们常用于电子电路中的放大、开关等应用。然而，由于8550的电压容量较高，适用于一些电路中需要较高电压的场景。
需要根据具体的应用需求和电路设计要求选择适合的三极管型号。
8550三极管可以用哪个代替
三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为1.5 A。8550三级管参数：类型：开关型；极性:PNP；材料:硅；最大集电极电流(A):0.5 A；直流电增益:10 to 60；功耗:625 mW；最大集电极发射电压（VCEO）:25；频率:150MHz。扩展资料：三极管的放大原理：1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。参考资料来源：百度百科——三极管8550
三极管 8550,S8550,SS8550 有何不同
三者在基极电压、最大集电极发射电压以及最大集电极电流等三方面存在区别。一、基极电压8550：基极电压为为40V。S8550：基极电压为为30V。SS8550：基极电压为为40V。二、最大集电极发射电压8550：最大集电极发射电压为25V。S8550：最大集电极发射电压为30V。SS8550：最大集电极发射电压为25V。三、最大集电极电流8550：最大集电极电流为0.5A。S8550：最大集电极电流为700mA。SS8550：最大集电极电流为1.5A。扩展资料三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。参考资料来源：百度百科-三极管
